Hérité du Gemincore créé par les ingénieurs Nicola Lomuto et René Lambruschi en 2005, l’Ixycore maintenant conçu aussi avec Frédérik Dezé redéfinit l’amplification en Classe D en adoptant la technologie GaN.
Basés sur le Nitrure de Gallium (GaN) plutôt que sur le silicium utilisé dans les transistors MOSFET, ces transistors réduisent de plus de 100 fois le temps de commutation (< 5ns) et offrent une excellente linéarité et une grande puissance, sans créer beaucoup de chaleur.
Pour les utiliser au mieux, les transistor GaN nécessitent des drivers de pointe, avec une régulation de tension ultra-stable et une alimentation de grande qualité. En l’occurrence, le nouvel Ixycore se démarque sur cette partie avec une alimentation à découpage (SMPS) elle aussi basée sur le Nitrure de Gallium, pour un rendement très élevé, d’un cadencement de plus de 100 kHz.
D’une puissance annoncée de 200 W sous 8 Ω, ces blocs mono doublent sous 4 Ω et montent jusqu’à 800 W sous 2 Ω. Le facteur d’amortissement phénoménal (20 000) est à comparer à une distorsion harmonique (THD+N) ultra-faible (<0.00005%) et un rapport signal sur bruit (SNR) de 140 dB.
L’Ixycore est intégralement fabriqué en France. Il vient s’intégrer dans un double châssis alu compartimenté noir ou doré de dimensions compactes (Deux fois 300 x 65 x 240 mm) et d’un poids confortable (4.5 kg par pièce). Au plus efficace sur les connexions, il dispose de bornes d’entrées RCA et XLR et se relie au secteur par une prise IEC, ainsi qu’à un autre appareil par une prise Trigger 3.5 mm. On espère vous en dire plus prochainement !
